壓控晶振就是利用改變控制電壓來實現對輸出頻率的調整,簡稱為VCO。壓控振蕩器內部電路是由變容二極管和石英晶體振蕩器電路組成的。變容二極管是串聯在頻率控制回路當中,通過改變加載在變容二極管上的電壓來調整石英振蕩器的振蕩頻率,實現對輸出頻率的微調。壓控晶振比普通SPXO晶振使用要靈活得多。因為它的輸出頻率可以實現微調,通過調整使輸出頻率達到*理想狀態。由于電壓控制腳是一個輸入腳,很容易帶入其他雜散信號,因此,在使用時要特別注意。壓控晶振廣泛應用在工業和電信領域。
電氣參數
1 頻率 (MHz)
2 輸出波形 (CMOS / SINE / TTL / LVDS)
3 輸出電平及負載
4 工作溫度范圍 (℃)
5 頻率穩定度 (ppm)
6 壓控電壓范圍
7 頻率調整度 (+/-ppm)
8 封裝
9 工作電壓 (Vdc)
10 輸出電流 (mA)
11 頻率誤差 (+/-ppm)
12 老化率 (Per Year)
注意: 壓控電壓范圍是指加載在壓控晶振壓控VC腳的電壓范圍。壓控電壓一般通過可調電阻從外部穩壓源獲得穩定的調整電壓。有些壓控晶振有自帶壓控參考電壓輸出,這個參考電壓更好。
壓控晶振 | SMD 14X9MM | VCXO | |||
一、壓控晶振 技術規格 | |||||
指標參數 | 參數值 | 備注 | |||
頻率范圍 | 5-300MHZ | 可定制 | |||
輸出波形 | Sine | 方波 | PECL | ||
輸出 | 輸出幅度 | 0-7dBm | 標準 | 標準 | 可定制 |
特性 | 輸出負載 | 50Ω | 15pF | / | |
諧波/占空比 | -30dBc | 45-55% | 45-55% | ||
雜散抑制 | -70dBc | -70dBc | -70dBc | ||
溫度特性 | ±25ppm | @25℃ | |||
溫度范圍 | -40 ﹢85 ℃ | ||||
年老化率 | ±3 - ±5ppm | ||||
頻率 | 相位噪聲 | ||||
穩定 | @10Hz | ≤-65dBc/Hz | |||
性 | @100Hz | ≤-95dBc/Hz | |||
@1KHz | ≤-122dBc/Hz | @122.88MHz | |||
@10KHz | ≤-138dBc/Hz | ||||
@100KHz | ≤-142dBc/Hz | ||||
頻率 | 調節方式 | 電壓調節 | |||
調節 | 壓控電壓范圍 | 按照客戶要求 | @電壓調節 | ||
頻率調節范圍 | ±50-±150ppm | 可定制 | |||
線性度 | ±1%/±3%/±5% | Max | |||
壓控斜率 | 正斜率 | ||||
電源 | 工作電壓 | 3.3V / 5V | |||
輸入 | 工作電流 | 50mA Max | @122.88MHz | ||
儲存溫度 | -55 ﹢125 ℃ | ||||
壓控晶振 | DIP 21X13MM | VCXO | |||
一、壓控晶振 技術規格 | |||||
指標參數 | 參數值 | 備注 | |||
頻率范圍 | 5-300MHZ | 可定制 | |||
輸出波形 | Sine | TTL | HCMOS | ||
輸出 | 輸出幅度 | 0-7dBm | 標準 | 標準 | 可定制 |
特性 | 輸出負載 | 50Ω | 15pF | 15pF | |
諧波/占空比 | -30dBc | 45-55% | 45-55% | ||
雜散抑制 | -70dBc | -70dBc | -70dBc | ||
溫度特性 | ±25ppm | @25℃ | |||
溫度范圍 | -40 ﹢85 ℃ | ||||
年老化率 | ±3 - ±5ppm | ||||
頻率 | 相位噪聲 | ||||
穩定 | @10Hz | ≤-120dBc/Hz | |||
性 | @100Hz | ≤-125dBc/Hz | |||
@1KHz | ≤-130dBc/Hz | @32.768MHz | |||
@10KHz | ≤-140dBc/Hz | ||||
@100KHz | ≤-145dBc/Hz | ||||
頻率 | 調節方式 | 電壓調節 | |||
調節 | 壓控電壓范圍 | 按照客戶要求 | @電壓調節 | ||
頻率調節范圍 | ±50-±150ppm | 可定制 | |||
線性度 | ±1%/±3%/±5% | Max | |||
壓控斜率 | 正斜率 | ||||
電源 | 工作電壓 | 3.3V / 5V | |||
輸入 | 工作電流 | 15mA Max | @32.768MHz | ||
儲存溫度 | -55 ﹢125 ℃ | ||||